Infineon AIMBG75R N-Kanal, Oberfläche MOSFET 750 V / 64 A 234 W, 7-Pin PG-TO263-7

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RS Best.-Nr.:
762-868
Herst. Teile-Nr.:
AIMBG75R033M2HXTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

64A

Drain-Source-Spannung Vds max.

750V

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Serie

AIMBG75R

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

31mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

23V

Maximale Verlustleistung Pd

234W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

169nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

9.8mm

Länge

10.2mm

Höhe

15mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Der MOSFET von Infineon wurde für außergewöhnliche Leistungen in Hochspannungsanwendungen wie integrierten Ladegeräten und DC/DC-Wandlern entwickelt und gewährleistet Zuverlässigkeit und Effizienz in anspruchsvollen Umgebungen.

Verfügt über eine äußerst robuste 750-V-Technologie mit ausgezeichneter Avalanche-Prüfung

Liefert eine hervorragende Wärmeableitung und reduzierte Schaltverluste

Bietet verbesserte Effizienz sowohl in harten als auch in weichen Schalttopologien

Enthält proprietäre Matrizenbefestigungstechnologie für verbesserte Zuverlässigkeit

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