Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 64 A 36 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 735-114
- Herst. Teile-Nr.:
- SiRA18BDP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 64A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00702Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 36W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 6.25mm | |
| Breite | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00702Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 36W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 6.25mm | ||
Breite 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für effiziente und zuverlässige Leistungsschaltung in Hochleistungselektronik entwickelt. Er ist vollständig Rg- und UIS-geprüft, um Robustheit unter elektrischen Belastungen und anspruchsvollen Betriebsbedingungen zu gewährleisten. Optimiert für geringe Verluste und schnelles Schalten, unterstützt er kompakte Designs mit hoher Leistungsdichte und erfüllt gleichzeitig RoHS-konforme und halogenfreie Anforderungen.
Bietet 100 Prozent Rg- und UIS-Tests für bewährte Gerätezuverlässigkeit
Unterstützt DC/DC-Wandleranwendungen mit hoher Leistungsdichte
Ermöglicht effiziente synchrone Gleichrichterleistung
Entspricht den RoHS-Normen und den halogenfreien Anforderungen
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