Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 60 A 43 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

€ 1,10

(ohne MwSt.)

€ 1,32

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 17. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 +€ 1,10

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
735-112
Herst. Teile-Nr.:
SiRA10BDP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.005Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

43W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.25mm

Breite

5.3mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für effiziente und zuverlässige Leistungsschaltung in Hochleistungselektronik entwickelt. Er ist vollständig Rg- und UIS-geprüft, um Robustheit unter elektrischen Belastungen und anspruchsvollen Betriebsbedingungen zu gewährleisten. Optimiert für geringe Verluste und schnelles Schalten, unterstützt er kompakte Designs mit hoher Leistungsdichte und erfüllt gleichzeitig RoHS-konforme und halogenfreie Anforderungen.

Bietet 100 Prozent Rg- und UIS-Tests für bewährte Gerätezuverlässigkeit

Unterstützt DC/DC-Wandleranwendungen mit hoher Leistungsdichte

Ermöglicht effiziente synchrone Gleichrichterleistung

Entspricht den RoHS-Normen und den halogenfreien Anforderungen

Verwandte Links