Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 74 A 38 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
735-113
Herst. Teile-Nr.:
SiRA12BDP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

74A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.006Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.3mm

Länge

6.25mm

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für effiziente und zuverlässige Leistungsschaltung in Hochleistungselektronik entwickelt. Er ist vollständig Rg- und UIS-geprüft, um Robustheit unter elektrischen Belastungen und anspruchsvollen Betriebsbedingungen zu gewährleisten. Optimiert für geringe Verluste und schnelles Schalten, unterstützt er kompakte Designs mit hoher Leistungsdichte und erfüllt gleichzeitig RoHS-konforme und halogenfreie Anforderungen.

Bietet 100 Prozent Rg- und UIS-Tests für bewährte Gerätezuverlässigkeit

Unterstützt DC/DC-Wandleranwendungen mit hoher Leistungsdichte

Ermöglicht effiziente synchrone Gleichrichterleistung

Entspricht den RoHS-Normen und den halogenfreien Anforderungen

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