Microchip Dualer N-Kanal TD9944 Zweifach N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays 240 V Erweiterung / 2.8 A, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 598-332
- Herst. Teile-Nr.:
- TD9944TG-G
- Hersteller:
- Microchip
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET-Arrays | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 240V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | TD9944 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Dualer N-Kanal | |
| Länge | 4.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Certificate of Compliance | |
| Breite | 3.9 mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET-Arrays | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 240V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie TD9944 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Dualer N-Kanal | ||
Länge 4.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Certificate of Compliance | ||
Breite 3.9 mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die vertikalen Microchip-MOSFETs mit doppeltem N-Kanal-Verstärkungsmodus verwenden das bewährte Fertigungsverfahren mit Silizium-Gate von Supertex. Diese Kombination bietet Leistungsummantelungsfunktionen, die denen von bipolaren Transistoren ähnlich sind, sowie die hohe Eingangsimpedanz und den positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten. Wie bei allen MOS-Strukturen ist dieses Gerät frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärausfall, was selbst in anspruchsvollen Umgebungen eine zuverlässige Leistung gewährleistet.
Hohe Eingangsimpedanz
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Durchlasswiderstand
Keine sekundäre Durchschaltung
Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage
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