Microchip Komplementärpaar TC6320 P-Kanal, N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays 200 V Erweiterung / 2 A, 8-Pin VDFN

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RS Best.-Nr.:
598-279
Herst. Teile-Nr.:
TC6320K6-G
Hersteller:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET-Arrays

Kabelkanaltyp

P-Kanal, N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

VDFN

Serie

TC6320

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.8V

Transistor-Konfiguration

Komplementärpaar

Höhe

1.35mm

Breite

0.31 mm

Länge

0.40mm

Normen/Zulassungen

RoHS Certificate of Compliance

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Die Hochspannungs-N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs mit niedriger Schwelle von Microchip in 8-adrigen VDFN- und SOIC-Gehäusen verfügen über integrierte Gate-to-Source-Widerstände und Gate-to-Source-Zener-Diodenklemmen, womit sie ideal für Hochspannungsimpulsanwendungen sind. Dieses komplementäre, Hochgeschwindigkeits-Hochspannungs-MOSFET-Paar mit N-Kanal- und P-Kanal-Gate-Klemmen verwendet eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Herstellungsprozess. Die Kombination bietet die Leistungsummantelungsfunktionen von bipolaren Transistoren zusammen mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die typisch für MOS-Geräte sind. Wie bei allen MOS-Strukturen sind diese Geräte frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärbruch.

Niedriger Schwellenwert

Geringer Widerstand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Keine sekundäre Durchschaltung

Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage

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