Infineon IGLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 38 A 124 W, 16-Pin IGLT65R045D2ATMA1 PG-HDSOP-16
- RS Best.-Nr.:
- 351-887
- Herst. Teile-Nr.:
- IGLT65R045D2ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 38A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | IGLT65 | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-16 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.054Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 124W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC for Industrial Applications | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 38A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie IGLT65 | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-16 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.054Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 124W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC for Industrial Applications | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der GaN-Leistungstransistor von Infineon ermöglicht eine höhere Effizienz im Hochfrequenzbetrieb. Als Teil der CoolGaN 650 V G5-Familie erfüllt er die höchsten Qualitätsstandards und ermöglicht äußerst zuverlässige Designs mit überlegener Effizienz. Er ist in einem von oben gekühlten TOLT-Gehäuse untergebracht und wurde für eine optimale Verlustleistung in verschiedenen industriellen Anwendungen entwickelt.
650 V E-Mode-Leistungstransistor
Ultraschnelles Schalten
Keine Reverse-Recovery-Ladung
Fähigkeit zur Rückleitung
Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung
Überlegene Robustheit der Kommutierung
Niedrige dynamische RDS(on)
Hohe ESD-Robustheit: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Oberseitig gekühltes Gehäuse
JEDEC-qualifiziert (JESD47, JESD22)
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