Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 107 A 454 W, 16-Pin IMLT65R020M2HXTMA1 PG-HDSOP-16
- RS Best.-Nr.:
- 349-048
- Herst. Teile-Nr.:
- IMLT65R020M2HXTMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 107A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 57nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 454W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 107A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-16 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 57nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 454W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 basiert auf der robusten Siliziumkarbid-Trench-Technologie der 2. Generation von Infineon und bietet eine unvergleichliche Leistung, überragende Zuverlässigkeit und hervorragende Benutzerfreundlichkeit. Dieser MOSFET wurde für die Anforderungen moderner Stromversorgungssysteme entwickelt und ermöglicht kostengünstige, hocheffiziente und vereinfachte Designs. Er ist die ideale Lösung für die ständig wachsenden Anforderungen von Stromversorgungssystemen und -märkten und bietet sowohl hohe Leistung als auch Energieeffizienz für eine Vielzahl von Anwendungen.
Extrem niedrige Schaltverluste
Robust gegen parasitäres Einschalten auch bei 0 V Abschaltspannung am Gate
Flexible Ansteuerspannung und kompatibel mit bipolarem Ansteuerungsschema
Robuster Betrieb von Body-Dioden unter harten Kommutierungsereignissen
Die .XT-Verbindungstechnologie für die beste thermische Leistung ihrer Klasse
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