Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 107 A 454 W, 16-Pin PG-HDSOP-16
- RS Stock No.:
- 349-048
- Mfr. Part No.:
- IMLT65R020M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Bulk discount available
Subtotal (1 unit)*
€ 19,86
(exc. VAT)
€ 23,83
(inc. VAT)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 08. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Units | Per unit |
|---|---|
| 1 - 9 | € 19,86 |
| 10 - 99 | € 17,87 |
| 100 + | € 16,49 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 349-048
- Mfr. Part No.:
- IMLT65R020M2HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 107A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 454W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 57nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 107A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-16 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 454W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 57nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Der Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 basiert auf der robusten Siliziumkarbid-Trench-Technologie der 2. Generation von Infineon und bietet eine unvergleichliche Leistung, überragende Zuverlässigkeit und hervorragende Benutzerfreundlichkeit. Dieser MOSFET wurde für die Anforderungen moderner Stromversorgungssysteme entwickelt und ermöglicht kostengünstige, hocheffiziente und vereinfachte Designs. Er ist die ideale Lösung für die ständig wachsenden Anforderungen von Stromversorgungssystemen und -märkten und bietet sowohl hohe Leistung als auch Energieeffizienz für eine Vielzahl von Anwendungen.
Extrem niedrige Schaltverluste
Robust gegen parasitäres Einschalten auch bei 0 V Abschaltspannung am Gate
Flexible Ansteuerspannung und kompatibel mit bipolarem Ansteuerungsschema
Robuster Betrieb von Body-Dioden unter harten Kommutierungsereignissen
Die .XT-Verbindungstechnologie für die beste thermische Leistung ihrer Klasse
Related links
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 16-Pin IMLT65R060M2HXTMA1 PG-HDSOP-16
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 16-Pin IMLT65R040M2HXTMA1 PG-HDSOP-16
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 16-Pin IMLT65R015M2HXTMA1 PG-HDSOP-16
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 16-Pin IMLT65R050M2HXTMA1 PG-HDSOP-16
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 16-Pin IPTC007N06NM5ATMA1 PG-HDSOP-16
- Infineon IGLT65 Typ N-Kanal 16-Pin IGLT65R045D2ATMA1 PG-HDSOP-16
- Infineon IGLT65 Typ N-Kanal 16-Pin IGLT65R110D2ATMA1 PG-HDSOP-16
- Infineon IGLT65 Typ N-Kanal 16-Pin IGLT65R025D2AUMA1 PG-HDSOP-16