Infineon IMLT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 142 A 600 W, 16-Pin PG-HDSOP-16
- RS Best.-Nr.:
- 349-047
- Herst. Teile-Nr.:
- IMLT65R015M2HXTMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 142A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | IMLT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 600W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 148nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 142A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-16 | ||
Serie IMLT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 600W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 148nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
MOSFET der Serie IMLT von Infineon, 650 V Drain-Source-Spannung, 142 A kontinuierlicher Drain-Strom – IMLT65R015M2HXTMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für anspruchsvolle Leistungsschaltfunktionen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem kompakten Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für dichte elektronische Baugruppen geeignet ist. Das Gerät bietet eine hohe Leistungsaufnahmefähigkeit bei gleichzeitiger Einhaltung der RoHS-Umgebungsgrenzwerte.
Merkmale und Vorteile:
• Der Einschaltwiderstand von 18 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 600 W Verlustleistung unterstützt schwere Schaltvorgänge
• Der kontinuierliche Ablassstrom von 142 A ermöglicht Hochstromanwendungen
• Die Nennleistung von 650 V Drain-Source ermöglicht den Betrieb mit hoher Spannung
• 23-V-Gate-Source-Grenzwert bietet Gate-Überspannungsschutz
• 600 W Verlustleistung unterstützt schwere Schaltvorgänge
• Der kontinuierliche Ablassstrom von 142 A ermöglicht Hochstromanwendungen
• Die Nennleistung von 650 V Drain-Source ermöglicht den Betrieb mit hoher Spannung
• 23-V-Gate-Source-Grenzwert bietet Gate-Überspannungsschutz
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler
• Ideal für industrielle Motorantriebsstufen
• Wird für DC-DC- und PFC-Schaltkreise verwendet
• Kann für Wechselrichter für erneuerbare Energien verwendet werden
• Geeignet für Hochstrom-Schaltmodule
• Ideal für industrielle Motorantriebsstufen
• Wird für DC-DC- und PFC-Schaltkreise verwendet
• Kann für Wechselrichter für erneuerbare Energien verwendet werden
• Geeignet für Hochstrom-Schaltmodule
Welchen Gehäusetyp verwendet er für die Leiterplattenmontage?
Er wird in einem oberflächenmontierten PG‐HDSOP‐16-Gehäuse geliefert, das für die automatisierte Platzierung geeignet ist.
Welchen thermischen Umgebungsbedingungen kann er standhalten?
Es arbeitet zwischen -55 °C und 175 °C für einen breiten Temperaturbereich.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Schaltleistung aus?
Die typische Gate-Ladung beträgt 148 nC, was die Antriebsanforderungen und Schaltverluste während der Übergänge beeinflusst.
Ist sie für die Qualifizierung im Automobilbereich geeignet?
Es ist nicht als konform mit der Automobilnorm angegeben, erfüllt aber die RoHS-Umweltbeschränkungen.
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