STMicroelectronics SCT0, Oberfläche Leistungs-MOSFET 650 V / 60 A 300 W, 7-Pin HU3PAK
- RS Best.-Nr.:
- 330-233
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT027HU65G3AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Serie | SCT0 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 29mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 60.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 14mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 3.5mm | |
| Länge | 18.58mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
Serie SCT0 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 29mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 60.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 14mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 3.5mm | ||
Länge 18.58mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- JP
Der Siliziumkarbid-Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
AEC-Q101 qualifiziert
Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
Quellensensorstift für mehr Effizienz
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