STMicroelectronics STHU36N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 29 A 210 W, 7-Pin HU3PAK

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 600 Stück)*

€ 2.277,00

(ohne MwSt.)

€ 2.732,40

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 29. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
600 +€ 3,795€ 2.277,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
234-8897
Herst. Teile-Nr.:
STHU36N60DM6AG
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

HU3PAK

Serie

STHU36N

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

99mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Maximale Verlustleistung Pd

210W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der MDmesh DM6-Serie mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen MDmesh-Schnellgeneration kombiniert der DM6 sehr niedrige Erholungsladung (Qrr), Erholungszeit (trr) und ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhaltens auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.

AEC-Q101-zertifiziert

Gehäusediode mit schnellerWiederherstellung

Niedriger RDS(on) pro Fläche im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand

100 % Avalanche-getestet

Verwandte Links