STMicroelectronics STHU65N1 N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 650 V / 26 A 179 W, 7-Pin HU3PAK

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RS Best.-Nr.:
762-553
Herst. Teile-Nr.:
STHU65N110DM9AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

HU3PAK

Serie

STHU65N1

Montageart

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

78nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Höhe

0.95mm

Breite

14.1 mm

Länge

11.9mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
JP
Der N-Kanal Super Junction Power MOSFET von STMicroelectronics ist ein hocheffizientes Stromversorgungsgerät, das auf der Advanced MDmesh M9 Super Junction-Technologie basiert. Er wurde für Anwendungen mit mittlerer bis hoher Spannung entwickelt, bei denen geringe Leitungsverluste und schnelles Schalten von entscheidender Bedeutung sind.

Sehr niedriger FOM

Höhere dv/dt-Fähigkeit

Ausgezeichnete Schaltleistung

100 % Avalanche-getestet

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