onsemi NTM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 131.5 A 116 W, 10-Pin TCPAK10

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RS Best.-Nr.:
277-048
Herst. Teile-Nr.:
NTMJST2D6N08HTXG
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

131.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TCPAK10

Serie

NTM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

10

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

68nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

116W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.82V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5.1mm

Breite

7.5 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der MOSFET von ON Semiconductor ist ein Leistungs-N-Kanal-Transistor mit einer Nennspannung von 80 V, einem On-Widerstand von 2,8 mΩ und einer Strombelastbarkeit von 131,5 A. Sein kompaktes TCPAK57-Gehäuse mit einer Größe von 5 x 7 mm bietet eine hervorragende thermische Leistung und eignet sich daher für hocheffiziente Power-Management-, Motorsteuerungs- und DC-DC-Wandlungsanwendungen.

Optimiertes Top-Cool-Gehäuse zur Wärmeableitung von oben

Geringer Platzbedarf für kompakte Designs

Ultra Low RDS(on) zur Verbesserung der Systemeffizienz

Gerät ist Pb-frei und RoHS-konform

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