onsemi NTM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 198 A 116 W, 10-Pin TCPAK57

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
277-047
Herst. Teile-Nr.:
NTMJST1D4N06CLTXG
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

198A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

NTM

Gehäusegröße

TCPAK57

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

10

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.49mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

92.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

116W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, Pb-Free

Länge

5.1mm

Breite

7.5 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der MOSFET von ON Semiconductor ist ein Leistungs-N-Kanal-Transistor mit einer Nennspannung von 60 V, einem On-Widerstand von 1,49 mΩ und einer Strombelastbarkeit von 198 A. Sein kompaktes TCPAK57-Gehäuse mit einer Größe von 5 x 7 mm gewährleistet eine effiziente thermische Leistung, wodurch er sich ideal für Power-Management-, Motorsteuerungs- und DC-DC-Wandlungsanwendungen eignet.

Optimiertes Top-Cool-Gehäuse zur Wärmeableitung von oben

Geringer Platzbedarf für kompakte Designs

Ultra Low RDS(on) zur Verbesserung der Systemeffizienz

Gerät ist Pb-frei und RoHS-konform

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