onsemi FDMS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 116 A 113.6 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 195-2499
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS4D5N08LC
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
€ 13,48
(ohne MwSt.)
€ 16,18
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 28. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,348 | € 13,48 |
| 100 - 240 | € 1,162 | € 11,62 |
| 250 + | € 1,033 | € 10,33 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 195-2499
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS4D5N08LC
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 116A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | FDMS | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 113.6W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Länge | 5.85mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 116A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie FDMS | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 113.6W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.05mm | ||
Länge 5.85mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser N-Kanal-MV-MOSFET wird unter Verwendung des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens von ON Semiconductor mit geschirmter Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.
Geschirmtes-Gate MOSFET-Technologie
Max rDS(on) = 4,2 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 37 A
RDS(ON) = 11,1 mΩ (typ.) (@ VGS = 4,5 V, ID = 29 A)
50 % geringerer Qrr als andere MOSFET Lieferanten
Niedriges Schaltgeräusch / EMI
Logikpegelantrieb möglich
Anwendung
Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet.