ROHM R65 N-Kanal 1, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 125 A 78 W, 8-Pin HSMT-8
- RS Best.-Nr.:
- 265-310
- Herst. Teile-Nr.:
- RH6E040BGTB1
- Hersteller:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
€ 8,55
(ohne MwSt.)
€ 10,26
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 90 Einheit(en) mit Versand ab 26. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,855 | € 8,55 |
| 100 - 240 | € 0,812 | € 8,12 |
| 250 - 490 | € 0,752 | € 7,52 |
| 500 - 990 | € 0,694 | € 6,94 |
| 1000 + | € 0,667 | € 6,67 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 265-310
- Herst. Teile-Nr.:
- RH6E040BGTB1
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 125A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | HSMT-8 | |
| Serie | R65 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30.0nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 125A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße HSMT-8 | ||
Serie R65 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30.0nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Der ROHM Power MOSFET verfügt über einen geringen Widerstand beim Einschalten und ist in einem kompakten, leistungsstarken, kleinen, geformten Gehäuse untergebracht. Es ist gut geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Schaltungen, Motorantriebe und DC/DC-Wandler, und bietet eine effiziente Leistung in platzschnellen Umgebungen.
Pb-freie Beschichtung
RoHS-Konformität
Hochleistungs-Kleinformgehäuse
Geringer Durchlasswiderstand
100 Prozent Rg- und UIS-getestet