ROHM HP8 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 10 A 13 W, 8-Pin HSMT-8

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RS Best.-Nr.:
264-764
Herst. Teile-Nr.:
HT8KC5TB1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

HSMT-8

Serie

HP8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

90mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

13W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.1nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der ROHM 60V 10A Dual Nch+Pch ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet.

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