ROHM R80 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 19 A 83 W, 3-Pin TO-220FM

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RS Best.-Nr.:
264-561
Herst. Teile-Nr.:
R8019KNXC7G
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-220FM

Serie

R80

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.265Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

65nC

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der ROHM 800V 19A Leistungs-MOSFET im TO-220FM-Gehäuse ist ein schnell schaltender Super-Sperrschicht-MOSFET, der auf hohe Effizienz ausgelegt ist. Er ermöglicht eine verbesserte Leistung in PFC- und LLC-Schaltungen, indem er durch Hochgeschwindigkeitsschaltung einen höheren Wirkungsgrad erzielt.

Niedriger Einschaltwiderstand

Schnelles Umschalten

Parallele Nutzung ist einfach

Pb-freie Bleibeschichtung und RoHS-konform

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