ROHM R60 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 81 W, 3-Pin TO-220FM
- RS Best.-Nr.:
- 265-290
- Herst. Teile-Nr.:
- R6038YNXC7G
- Hersteller:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 6,82
(ohne MwSt.)
€ 8,18
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 96 Einheit(en) mit Versand ab 07. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,41 | € 6,82 |
| 20 - 198 | € 3,07 | € 6,14 |
| 200 - 998 | € 2,83 | € 5,66 |
| 1000 - 1998 | € 2,63 | € 5,26 |
| 2000 + | € 2,13 | € 4,26 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 265-290
- Herst. Teile-Nr.:
- R6038YNXC7G
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | R60 | |
| Gehäusegröße | TO-220FM | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 108mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie R60 | ||
Gehäusegröße TO-220FM | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 108mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltfunktionen aus und eignet sich daher ideal für verschiedene Schaltanwendungen. Sein effizientes Design ermöglicht einfache Antriebsschaltungen und gewährleistet zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen.
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
Halogenfreie Formmasse