ROHM R6520ENX Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 68 W, 3-Pin TO-220FM

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 2,66

(ohne MwSt.)

€ 3,20

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 434 Einheit(en) mit Versand ab 04. Februar 2026
  • Zusätzlich 2 Einheit(en) mit Versand ab 05. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 +€ 1,33€ 2,66

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
177-6458
Herst. Teile-Nr.:
R6520ENX
Hersteller:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220FM

Serie

R6520ENX

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

200mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

61nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.3mm

Höhe

15.4mm

Breite

4.8 mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
JP
Der R6520ENX ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schnellem Schalten, geeignet für die Schaltanwendung.

Geringer Durchlasswiderstand

Hohe Umschaltgeschwindigkeit

Parallele Nutzung ist einfach

Pb-freie Beschichtung

Verwandte Links