ROHM R6520ENX Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 68 W, 3-Pin TO-220FM
- RS Best.-Nr.:
- 177-6458
- Herst. Teile-Nr.:
- R6520ENX
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220FM | |
| Serie | R6520ENX | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 200mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 15.4mm | |
| Breite | 4.8 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220FM | ||
Serie R6520ENX | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 15.4mm | ||
Breite 4.8 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- JP
Der R6520ENX ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schnellem Schalten, geeignet für die Schaltanwendung.
Geringer Durchlasswiderstand
Hohe Umschaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-freie Beschichtung