ROHM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 3 A 36 W, 3-Pin TO-220FM
- RS Best.-Nr.:
- 235-2699
- Herst. Teile-Nr.:
- R8003KNXC7G
- Hersteller:
- ROHM
Zwischensumme (1 Stange mit 1000 Stück)*
€ 1.137,00
(ohne MwSt.)
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 1000 + | € 1,137 | € 1.137,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 235-2699
- Herst. Teile-Nr.:
- R8003KNXC7G
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220FM | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 36W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 29.87mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.3mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220FM | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 36W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 29.87mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.3mm | ||
Breite 5 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Rohm R8xxxKNx-Serie sind Hochgeschwindigkeits-Schaltprodukte, Super Junction MOSFET, die einen Schwerpunkt auf hohem Wirkungsgrad legen. Sie erreichen einen höheren Wirkungsgrad durch Hochgeschwindigkeitsschalten. Hochgeschwindigkeitsschalten ermöglicht es, zu einer höheren Effizienz in PFC- und LLC-Stromkreisen beizutragen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung
RoHS-konform