STMicroelectronics STGAP2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1700 V / 4 A, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 152-180
- Herst. Teile-Nr.:
- STGAP2SICSNC
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 8,57
(ohne MwSt.)
€ 10,285
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 1 995 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,714 | € 8,57 |
| 50 - 95 | € 1,628 | € 8,14 |
| 100 - 495 | € 1,508 | € 7,54 |
| 500 - 995 | € 1,388 | € 6,94 |
| 1000 + | € 1,336 | € 6,68 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 152-180
- Herst. Teile-Nr.:
- STGAP2SICSNC
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1700V | |
| Serie | STGAP2 | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1GΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1700V | ||
Serie STGAP2 | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1GΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Der einfache Gate-Treiber von STMicroelectronics bietet eine galvanische Isolierung zwischen dem Gate-Antriebskanal und der Niederspannungsregelung und Schnittstellenschaltung. Der Gate-Treiber zeichnet sich durch eine 4-A-Fähigkeit und Rail-to-Rail-Ausgänge aus, wodurch sich der Baustein auch für Anwendungen im mittleren und hohen Leistungsbereich eignet, wie z. B. Leistungsumwandlung und Motortreiber-Inverter in industriellen Anwendungen.
Separate Sink- und Source-Option für einfache Gate-Treiberkonfiguration
4-A-Miller-CLAMP-Option mit eigenem Pin
UVLO-Funktion
Gate-Treiberspannung bis zu 26 V
Verwandte Links
- STMicroelectronics STGAP2 Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- STMicroelectronics SCT1000N170 Typ N-Kanal 3-Pin Hip-247
- Wolfspeed Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Wolfspeed Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Wolfspeed Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1700 V / 45 A 333 W, 4-Pin TO-247-4L
- ROHM SCT2H12NZ Typ N-Kanal 3-Pin TO-3PFM
- Infineon IMBF1 Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
