STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 2 A, 3-Pin TO-252

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
151-935
Herst. Teile-Nr.:
STD2HNK60Z
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

SuperMESH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.6 mm

Länge

10.1mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

2.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Power MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der Super MESH-Technologie entwickelt, die durch die Optimierung eines etablierten, auf Streifen basierenden Power MESH-Layouts erreicht wird. Zusätzlich zu einer erheblichen Verringerung des Widerstands am Strom, wurde dieses Gerät entwickelt, um ein hohes Maß an dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen zu gewährleisten.

100 % Avalanche-getestet

Gate-Ladung minimiert

Sehr niedrige innere Kapazität

Zenergeschützt

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