STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 3 A, 3-Pin TO-252

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
151-900
Herst. Teile-Nr.:
STD4NK80ZT4
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

SuperMESH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

10.1mm

Breite

6.6 mm

Höhe

2.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist ein Hochspannungsgerät mit zenergeschütztem N-Kanal, das mit der SuperMESH-Technologie entwickelt wurde, einer Optimierung des etablierten PowerMESH. Neben einer erheblichen Reduzierung des Widerstands im eingeschalteten Zustand ist dieses Gerät so konzipiert, dass eine hohe dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen gewährleistet ist.

Gate-Ladung minimiert

Sehr niedrige innere Kapazität

Zener-geschützt

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