STMicroelectronics SuperMESH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 4 A, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
151-439
Herst. Teile-Nr.:
STD4NK60ZT4
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

SuperMESH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.34mm

Höhe

2.39mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Power MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der Super MESH-Technologie entwickelt, die durch die Optimierung eines etablierten Power MESH-Layouts erreicht wurde. Zusätzlich zu einer erheblichen Verringerung des Widerstands am Strom, wurde dieses Gerät entwickelt, um ein hohes Maß an dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen zu gewährleisten.

100 % Avalanche-getestet

Gate-Ladung minimiert

Sehr niedrige innere Kapazität

Zenergeschützt

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