STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 2.4 A, 3-Pin TO-252

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
151-418
Herst. Teile-Nr.:
STD3NK60ZT4
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

SuperMESH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.8nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.1mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

2.4mm

Breite

6.6 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Power MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der Super MESH-Technologie entwickelt, einer Optimierung der etablierten Power MESH. Zusätzlich zu einer signifikanten Verringerung des Widerstands sind diese Geräte so konzipiert, dass sie eine hohe dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen gewährleisten.

100 % Avalanche-getestet

Gate-Ladung minimiert

Sehr niedrige innere Kapazität

Zenergeschützt

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