STMicroelectronics MDmesh II Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 600 V / 2.2 A 22 W, 8-Pin PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
151-423
Herst. Teile-Nr.:
STL3NM60N
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV

Serie

MDmesh II

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

22W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt. Dieser revolutionäre Leistungs-MOSFET verbindet eine vertikale Struktur mit dem Streifenlayout des Unternehmens, um einen der weltweit niedrigsten Widerstände zu erzielen. Er ist daher für die anspruchsvollsten Konverter mit hohem Wirkungsgrad geeignet.

100 % Avalanche-getestet

Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung

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