STMicroelectronics MDmesh II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 11 A, 3-Pin TO-252

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
151-952
Herst. Teile-Nr.:
STD13NM60N
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

MDmesh II

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.36Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.1mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

2.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt. Dieser revolutionäre Leistungs-MOSFET verbindet eine vertikale Struktur mit dem Streifenlayout des Unternehmens, um einen der weltweit niedrigsten Widerstands- und Gate-Ladungen zu erzielen. Er ist daher für die anspruchsvollsten Konverter mit hohem Wirkungsgrad geeignet.

100 % Avalanche-getestet

Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung

Niedriger Gate-Eingangswiderstand

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