STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 1 A 30 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
687-5181
Herst. Teile-Nr.:
STD1NK60T4
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

30W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.4mm

Länge

6.6mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.2 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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