STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 110 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
165-5379
Herst. Teile-Nr.:
STD16N60M2
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

MDmesh M2

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

320mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

-25V, +25V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.2mm

Höhe

2.4mm

Länge

6.6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics


Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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