STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MDmesh II Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 17 A 125 W, 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
761-0663
Herst. Teile-Nr.:
STB23NM50N
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MDmesh II Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Serie

MDmesh

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.19Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

±25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.6mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.75mm

Breite

10.4 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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