STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 12 A, 3-Pin TO-220

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der MDmesh-Technologie entwickelt, die den Multiple-Drain-Prozess mit dem horizontalen PowerMESH-Layout des Unternehmens verbindet. Diese Bauelemente bieten einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand, ein hohes dv/dt und hervorragende Avalanche-Eigenschaften. Durch die Verwendung der ST-eigenen Strip-Technik weisen diese Power-MOSFETs eine dynamische Gesamtleistung auf, die vergleichbaren Produkten auf dem Markt überlegen ist.

100% Avalanche getestet
Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung
Niedriger Gate-Eingangswiderstand