Fairchild Semiconductor IGBT / 46 A, 390 V 250 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
862-9362P
Herst. Teile-Nr.:
ISL9V5036S3ST
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
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Marke

Fairchild Semiconductor

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

46A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

390V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±10 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Serie

EcoSPARK

Automobilstandard

AEC-Q101

Energie

500mJ

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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