Fairchild Semiconductor IGBT / 21 A, 430 V 150 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*

€ 24,04

(ohne MwSt.)

€ 28,85

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Wird eingestellt
  • Letzte 1 075 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
10 - 95€ 2,404
100 - 495€ 1,974
500 - 995€ 1,662
1000 +€ 1,464

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
862-9359P
Herst. Teile-Nr.:
ISL9V3040P3
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Fairchild Semiconductor

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

21A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

430V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

15μs

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±10 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

EcoSPARK

Energie

300mJ

Automobilstandard

AEC-Q101

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links

Recently viewed