Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 250 W, 3-Pin PG-TO252-3

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RS Best.-Nr.:
215-6656
Herst. Teile-Nr.:
IKD15N60RATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

30 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

250 W

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Pinanzahl

3

Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate und integrierter Diode in Gehäusen bietet einen platzsparenden Vorteil.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

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