Teile-Nr.

Infineon IGBT / 74 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO263-3

RS Best.-Nr.:: 215-6649
Herst. Teile-Nr.:: IKB40N65EF5ATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon IGBT / 74 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO263-3

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RS Best.-Nr.:: 215-6649
Herst. Teile-Nr.:: IKB40N65EF5ATMA1
Hersteller:: Infineon

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	74 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max.	250 W
	Gehäusegröße	PG-TO263-3
	Pinanzahl	3

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	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 74 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max. 250 W
	Gehäusegröße PG-TO263-3
	Pinanzahl 3

Datasheet-IKB40N65EF5ATMA1

Der Infineon Hochgeschwindigkeits-Bipolartransistor mit schneller Schaltgeschwindigkeit und isoliertem Gate mit einer schnellen und weichen antiparallelen Diode mit voller Nennstromstärke von Rapid 1.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 74 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO263-3

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