Littelfuse IGBT / 50 A ±15V max., 365 V 165 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 805-1753
- Herst. Teile-Nr.:
- NGB8207ABNT4G
- Hersteller:
- Littelfuse
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 10,10
(ohne MwSt.)
€ 12,10
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Nur noch Restbestände
- Letzte 225 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | € 2,02 | € 10,10 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 805-1753
- Herst. Teile-Nr.:
- NGB8207ABNT4G
- Hersteller:
- Littelfuse
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Littelfuse | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 365 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±15V | |
| Verlustleistung max. | 165 W | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.29 x 9.65 x 4.83mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Littelfuse | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 50 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 365 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±15V | ||
Verlustleistung max. 165 W | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.29 x 9.65 x 4.83mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- Littelfuse IGBT / 50 A ±15V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- Littelfuse IGBT / 20 A ±15V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- onsemi IGBT / 40 A ±20V max. 3-Pin TO-220 N-Kanal
- IXYS IGBT / 38 A ±20V max. 3-Pin TO-220 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 20 A 12V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- Fairchild IGBT / 51 A ±14V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 25 A 16V max. 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal