Littelfuse IGBT / 20 A, 365 V 165 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
171-0128
Herst. Teile-Nr.:
NGB8207ABNT4G
Hersteller:
Littelfuse
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Marke

Littelfuse

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

20A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

365V

Maximale Verlustleistung Pd

165W

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

6μs

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

15 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.83mm

Breite

15.88 mm

Länge

10.29mm

Serie

Ignition IGBT

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Energie

500mJ

IGBT, diskret, ON Semiconductor


Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.

IGBT, diskret, ON Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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