Littelfuse IGBT / 20 A ±15V max., 365 V 165 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 171-0129
- Herst. Teile-Nr.:
- NGB8207BNT4G
- Hersteller:
- Littelfuse
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Littelfuse
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Littelfuse | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 20 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 365 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±15V | |
| Verlustleistung max. | 165 W | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.29 x 9.65 x 4.83mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Littelfuse | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 20 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 365 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±15V | ||
Verlustleistung max. 165 W | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.29 x 9.65 x 4.83mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen.
IGBT, diskret, ON Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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