Infineon IGBT / 75 A, 600 V 428 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
754-5402
Herst. Teile-Nr.:
IKW75N60TFKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

75A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

428W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, JEDEC, Pb-free lead plating

Serie

TrenchStop

Automobilstandard

Nein

Infineon IGBT, 80 A maximaler Kollektor-Dauerstrom, 600 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung - IKW75N60TFKSA1


Dieser IGBT ist ein Hochleistungs-Halbleiterbauelement, das für Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Mit einem maximalen kontinuierlichen Kollektorstrom von 80 A arbeitet er effizient in Hochspannungsumgebungen, die für 600 V ausgelegt sind. Der Baustein ist in einem TO-247-Gehäuse untergebracht, das sich ideal für die Durchsteckmontage eignet.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung erhöht den Wirkungsgrad

• Hohe Schaltgeschwindigkeit reduziert Energieverluste im Betrieb

• Positiver Temperaturkoeffizient gewährleistet stabile Leistung

• Kompatibel mit einem breiten Temperaturbereich von -40°C bis +175°C

Anwendungen


• Geeignet für den Einsatz in Frequenzumrichtern in industriellen Umgebungen

• Ideal für unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme

• Einsatz in der Motorsteuerung für die Automatisierung

• Wirksam für Systeme zur Nutzung erneuerbarer Energien zur Gewährleistung der Effizienz

Wie wirkt sich die Kurzschlussfestigkeit auf meine Anwendung aus?


Die Kurzschlussfestigkeit von 5μs ermöglicht einen zuverlässigen Schutz in Anwendungen, die auf Fehlerbedingungen stoßen können, und stellt sicher, dass das Gerät kurze Überstromsituationen ohne sofortigen Ausfall überstehen kann.

Wie wirkt sich die hohe Schaltgeschwindigkeit auf die Systemeffizienz aus?


Die hohe Schaltgeschwindigkeit von 20 kHz minimiert die Energieverluste während der Übergänge und verbessert so die Gesamteffizienz und Leistung des Systems, insbesondere bei reaktionsschnellen Anwendungen, erheblich.

Welche Überlegungen gibt es zum Wärmemanagement für eine optimale Leistung?


Die Wärmewiderstandswerte geben die effektive Wärmeabgabe von der Verbindungsstelle zum Gehäuse an; die Beherrschung der Sperrschichttemperaturen innerhalb der vorgegebenen Grenzen ist entscheidend für einen zuverlässigen Betrieb und eine lange Lebensdauer der Komponenten.

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