Infineon IGBT / 50 A, 1200 V 428 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 6,01

(ohne MwSt.)

€ 7,21

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 238 Einheit(en) mit Versand ab 16. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9€ 6,01
10 - 24€ 5,17
25 - 49€ 4,81
50 - 99€ 4,51
100 +€ 4,15

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
232-6732
Herst. Teile-Nr.:
IKW50N120CS7XKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

428W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Höhe

5.3mm

Länge

21.5mm

Breite

16.3 mm

Serie

IKW50N120CS7

Automobilstandard

Nein

Das diskrete 50-A-Trenchstop-IGBT7-S7-Gehäuse von Infineon wird in TO-247-Gehäuse mit EC7-Diode geliefert. Es bietet einen niedrigen VCEsat, um sehr niedrige Leitungsverluste in Zielanwendungen zu erreichen, und die kogepackte, sehr weiche und schnelle Emitter-gesteuerte Diode hilft, Schaltverluste zu minimieren, die zu insgesamt niedrigen Gesamtverlusten beitragen. Mögliche Anwendungen umfassen industrielle Antriebe, industrielle Netzteile und Solarwechselrichter.

Gute Steuerbarkeit

Voll ausgelegte Freilaufdiode mit verbesserter Weichheit

Höhere Leistungsdichte ohne Kühlkörper-Redesign

Einfache Bauweise zur Erfüllung der EMI-Anforderungen

Verwandte Links