Infineon IGBT / 50 A, 1200 V 428 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 232-6731
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N120CS7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 232-6731
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N120CS7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 428W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 16.3 mm | |
| Serie | IKW50N120CS7 | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Länge | 21.5mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 428W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 16.3 mm | ||
Serie IKW50N120CS7 | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Länge 21.5mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das diskrete 50-A-Trenchstop-IGBT7-S7-Gehäuse von Infineon wird in TO-247-Gehäuse mit EC7-Diode geliefert. Es bietet einen niedrigen VCEsat, um sehr niedrige Leitungsverluste in Zielanwendungen zu erreichen, und die kogepackte, sehr weiche und schnelle Emitter-gesteuerte Diode hilft, Schaltverluste zu minimieren, die zu insgesamt niedrigen Gesamtverlusten beitragen. Mögliche Anwendungen umfassen industrielle Antriebe, industrielle Netzteile und Solarwechselrichter.
Gute Steuerbarkeit
Voll ausgelegte Freilaufdiode mit verbesserter Weichheit
Höhere Leistungsdichte ohne Kühlkörper-Redesign
Einfache Bauweise zur Erfüllung der EMI-Anforderungen
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