Infineon IGBT / 75 A 20V max. , 650 V 395 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-4392
Herst. Teile-Nr.:
IGW75N65H5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

75 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Verlustleistung max.

395 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Die Infineon Trenchstop IGBT5-Technologie definiert den klassenbesten IGBT neu, was zu einer niedrigeren Verbindungs- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt, indem sie eine unübertroffene Leistung in Bezug auf Effizienz für harte Schaltanwendungen bietet. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 650 V und einen Kollektorstrom von 120 A.

Höhere Leistungsdichte
50-V-Erhöhung der Busspannung möglich, ohne Kompromisse bei der Zuverlässigkeit einzugehen
Leichter positiver Temperaturkoeffizient

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