Infineon IGBT / 75 A, 650 V 198 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-4392
Herst. Teile-Nr.:
IGW75N65H5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

75A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

198W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.65V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC, RoHS

Breite

16.13 mm

Serie

IGW75N65H5

Höhe

5.21mm

Länge

21.1mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon Trenchstop IGBT5-Technologie definiert den klassenbesten IGBT neu, was zu einer niedrigeren Verbindungs- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt, indem sie eine unübertroffene Leistung in Bezug auf Effizienz für harte Schaltanwendungen bietet. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 650 V und einen Kollektorstrom von 120 A.

Höhere Leistungsdichte

50-V-Erhöhung der Busspannung möglich, ohne Kompromisse bei der Zuverlässigkeit einzugehen

Leichter positiver Temperaturkoeffizient

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