Infineon IGBT / 75 A, 650 V 536 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
110-7176
Herst. Teile-Nr.:
IKW75N65EL5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

75A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

536W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.35V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

16.13mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

TrenchStop

Höhe

5.21mm

Breite

21.1 mm

Energie

7.22mJ

Automobilstandard

Nein

Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V


Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.

• Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V

• Sehr geringer VCEsat

• Niedrige Abschaltverluste

• Kurzer Deaktivierungsstrom

• Geringe elektromagnetische Störungen

• Maximale Verbindungstemperatur 175°C

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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