Infineon IGBT ±20V max. 2,5 W, 8-Pin PG-TISON-8 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 273-5235
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0923NDIATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- BSC0923NDIATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 2,5 W | |
| Gehäusegröße | PG-TISON-8 | |
| Konfiguration | Dual | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 2,5 W | ||
Gehäusegröße PG-TISON-8 | ||
Konfiguration Dual | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 8 | ||
Der Infineon MOSFET ist ein MOSFET mit zwei N-Kanälen. Er ist für einen leistungsstarken Buck-Wandler optimiert. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser MOSFET ist halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.
Logikpegel
RoHS-konform
Bleifreie Kabelbeschichtung
100 % Lawinengeprüft
RoHS-konform
Bleifreie Kabelbeschichtung
100 % Lawinengeprüft
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