Infineon IGBT / 100 A, 1200 V 652 W, 4-Pin TO-247

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5106
Herst. Teile-Nr.:
IKY50N120CH3XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

100A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

652W

Gehäusegröße

TO-247

Pinanzahl

4

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.35V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

15.9 mm

Länge

41.2mm

Höhe

5.1mm

Automobilstandard

Nein

Die Hard Switching-Hochgeschwindigkeits-IGBT3 von Infineon in einem TO247 PLUS-Gehäuse mit einer weichen und schnellen Wiederherstellungsdiode mit antiparallelem Emitter-gesteuerter Vollstrom.

Sehr weiche, schnelle Erholung, Vollstrom-Anti-Paralleldiode

Die maximale Anschlusstemperatur beträgt 175 °C.

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