Infineon IGBT / 50 A, 1200 V 652 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
260-5093
Herst. Teile-Nr.:
IKQ50N120CH3XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

652W

Gehäusegröße

TO-247

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

15.9 mm

Länge

41.2mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.1mm

Automobilstandard

Nein

Die Hard Switching-Hochgeschwindigkeits-IGBT3 von Infineon in einem TO247 PLUS-Gehäuse mit einer weichen und schnellen Wiederherstellungsdiode mit antiparallelem Emitter-gesteuerter Vollstrom.

Hoher Wirkungsgrad in harten Schalt- und Resonanztopologien

Einfache Parallelverbindung dank des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat

Niedrige Gate-Ladung QG

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