Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 652 W PG-TO247-3-46

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5094
Herst. Teile-Nr.:
IKQ50N120CH3XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

100 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

652 W

Gehäusegröße

PG-TO247-3-46

Konfiguration

Single

Die Hard Switching-Hochgeschwindigkeits-IGBT3 von Infineon in einem TO247 PLUS-Gehäuse mit einer weichen und schnellen Wiederherstellungsdiode mit antiparallelem Emitter-gesteuerter Vollstrom.

Hoher Wirkungsgrad in harten Schalt- und Resonanztopologien
Einfache Parallelverbindung dank des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat
Niedrige Gate-Ladung QG

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