Infineon IGBT / 80 A, 1200 V 500 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 260-5092
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ40N120CH3XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.35V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 41.2mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.35V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 41.2mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die schwer schaltbare Hochgeschwindigkeits-IGBT3 von Infineon in TO247 PLUS-Gehäuse mit weicher, schneller, antiparalleler Emitter-gesteuerter Diode.
Hoher Wirkungsgrad in harten Schalt- und Resonanztopologien
Einfache Parallelverbindung dank des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat
Niedrige Gate-Ladung QG
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