Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 500 W PG-TO247-3-46
- RS Best.-Nr.:
- 260-5091
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ40N120CH3XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-5091
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ40N120CH3XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 500 W | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3-46 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 500 W | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße PG-TO247-3-46 | ||
Die schwer schaltbare Hochgeschwindigkeits-IGBT3 von Infineon in TO247 PLUS-Gehäuse mit weicher, schneller, antiparalleler Emitter-gesteuerter Diode.
Hoher Wirkungsgrad in harten Schalt- und Resonanztopologien
Einfache Parallelverbindung dank des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat
Niedrige Gate-Ladung QG
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